ror体育软件:半导体后封装工艺及配置

时间:2022-06-22 03:32:30 | 来源:ror体育下载 作者:ror体育在线

  圆片→二次布线→减薄→正在圆片上造造接触器→接触器电 镀→测试、筛选→划片→激光打标  ★ 正在圆片上造造焊球的圆片级CSP的封装工艺流程 圆片→二次布线→减薄→正在圆片上造造焊球→模塑包封或 表貌涂敷→测试、筛选→划片→激光打标

  作笔直导通,完成芯片之间互连的最新技能。  硅通孔TSV (Through-Silicon Via)技能是半导体集成电途产 业迈向3D-SiP 期间的要害技能  TSV技能大凡和WLCSP 相联合,工艺流程上可能先钻孔和后钻孔, 紧要工艺流程如下:

  (1)通孔的酿成; (2)绝缘层、阻挠层和种子层的淀积; (3)铜的填充(电镀)、去除和再漫衍引线)晶圆/芯片瞄准、键合与切片。

  铜通孔中, TiN粘附/阻挠层和铜种子层都通过溅射来重 积。然而,要完成高明宽比(AR 4∶1)的台阶笼盖,传 统的PVD直流磁控技能成效并不令人称心。基于离子化 金属等离子体( IMP)的PVD 技能可完成侧壁和通孔底部 铜种子层的平均重积。因为重积原子的倾向性以及从通 孔底部到侧壁溅射原料流程中离子轰击的运用, IMP提 供更好的台阶笼盖性和阻挠层/种子层平均性。因为电 镀本钱大大低于PVD /CVD,通孔填充大凡采用电镀铜的 方式完成。

  2008年至今国际上也惟有东芝、Oki-新兴公司,STMicroelectronics、Aptina这些半导体巨头正在手机CIS芯片晶圆级 封装中运用最新的TSV技能,并接踵研发完成了量产.文中 钻研了基于TSV技能的CIS产物晶圆级封装工艺流程,这一 工艺流程颠末了批量坐褥的磨练.核心钻研了正在背后打孔溅 镀铝层后,光刻、镀覆Zn/Ni层、刻蚀铝、去胶、镀覆Au金 属层的序次题目。

  排名 1 2 3 厂商 Motorola天津半导体有限公司 北京三菱四通微电子公司 南通富士通微电子有限公司

  磁控溅射PVD镀膜, 氮化钛(TiN)、氮碳 化钛(TiCN)、氮化 锆(ZrN)、氮化铬 (CrN)、氮化铝钛 (TiAIN)、碳化钛 (TiC)等

  玻璃、石英、Ⅲ-Ⅴ族化 合物、金属等原料表貌 镀造各式金属、非金属、 化合物薄膜原料。如Al、 Au、Pt、Cr、Ti、Ni、 Cu、NiCr、TiW、W、 SiO、AlO、TaN、ITO、 AZO等,重积的薄膜具 有精良的平均性、附着 力,装备拥有溅射速度 疾、基片升温低、加热 安定等特色。

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