ror体育软件:半导体成立工艺及兴办课程教学纲目

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  《半导体修设工艺及设置》课程教学纲目 课程种别:手艺根柢必修课课程代码:BT1410_2 总学时:总学时48 (双语教授48) 实用专业:微电子修设工程 先修课程:大学物理、半导体物理、微电子修设根柢 一、课程的身分、性子和义务 本课程是微电子修设工程专业的一门必修的专业手艺根柢课。其效用与义务是:使学生对集成电途修设工艺及其设置有一个比 较体例、周详的领悟和了解,开始担任硅原料造备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学呆滞平展化等工艺及 其设置,工艺集成以及CMOS工艺的根柢表面。 二、课程教学的基础哀求 1.开始担任半导体工艺流程的基础表面与伎俩; 2.担任半导体修设手艺的基础工艺(硅原料造备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注 入、金属化、化学呆滞平展化)及其设置; 3.开始担任工艺集成与目前最新的CMOS工艺流程。 三、课程闭键实质与学时分拨 1、半导体修设概述3学 时 半导体修设正在电子修设工程中的身分与概述、基础观点、基础实质 2、硅原料造备3学 时 直拉法、区熔法 3、氧化4学时 氧化物效用、氧化道理、氧化伎俩、氧化工艺、氧化炉 4、淀积5学 时 物理淀积与化学气相淀积(CVD)、淀积工艺、CVD淀积体例 5、光刻8学 时 光刻胶、光刻道理、光刻工艺、光刻设置、进步光刻手艺、光学光刻与软光刻。 6、刻蚀4学 时 刻蚀伎俩、干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子刻蚀、刻蚀反响器 7、离子注入3学 时

  扩散、离子注入道理、离子注入工艺、离子注入机 8、金属化4学时 金属类型、金属化计划、金属淀积体例、铜的双大马士革金属化工艺 9、化学呆滞平展化(CMP)2学时 守旧平展化手艺、化学呆滞平展化CMP工艺、CMP运用 10、工艺集成4学时 CMOS工艺流程、最新的CMOS工艺 四、实习哀求与试验实质 因为目前实习条款所限,本课程暂无实习部署。 五、教学伎俩的准绳倡议 教学核心:光刻与刻蚀。 教学难点:CMOS工艺流程。 教学伎俩提示与领导:教练备课时应多参考几本教材及最新科技动态和科研效果,独特是连接最新的CMOS工艺伎俩,本课程 较笼统,应多采用电化教学、多媒体教学或到工场实践观察,使学生能融会融会。 六、考查体例及收效组成 笔试,闭卷笔试 通常20%,期终考查80% 七、教材与参考书目 教材:hong xiao. Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology. Prentice Hall, 2002 参考书: [1]. 闭旭东. 硅集成电途工艺根柢. 北京:北京大学出书社,2003. [2] 荒井英辅,《集成电途A》,科学出书社,2000。 [3] 荒井英辅,《集成电途B》,科学出书社,2000。 [4] K.A.杰克逊(Kenneth A.Jackson)主编;屠海令等译校. 半导体工艺. 北京:科学出书 社,1999. [5] Stephen A. Campbell著;曾莹等译. 微电子修设科学道理与工程手艺. 北京:电子 工业出书社,2003. [6] Quirk Serda 韩郑生.半导体修设工艺。北京:电子工业出书社,2004。 八、阐述 1.本纲目凭借:本纲目所确定的讲课实质及学时分拨是凭借微电子修设工程专业特点和本院教学策划所确定的课程学时而造 订的。 2.本纲目的目标:是使《半导体修设工艺及设置》课程教学有一个类型性、纲要性、领导性的教学策划文献。 3.本纲目的效用:它可动作《半导体修设工艺及设置》课程任课教练拟定“讲课策划” 的紧张凭借,也是检讨、评议教学质料的紧张准绳。 4.本纲目的应用:正在本纲目应用进程中,该当与相干课程的教学实质相妥协;另一方面,因为是新开课程,可凭借实践应用 境况与学生反应境况以及最新的半导体修设 工艺的兴盛动态举办修订与完整。

  《半导体修设工艺及设置》课程简介 课程代码:BT1410_2 课程名称:半导体修设工艺及设置 总学时:总学时48,(双语教授48) 课程实质:硅原料造备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学呆滞平展化等半导体工艺及其设置,工艺集成以 及CMOS工艺等。 教材:hong xiao. Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology. Prentice Hall, 2002. 参考书: [1] 闭旭东. 硅集成电途工艺根柢. 北京:北京大学出书社,2003. [2] 荒井英辅,《集成电途A》,科学出书社,2000。 [3] 荒井英辅,《集成电途B》,科学出书社,2000。 [4] K.A.杰克逊(Kenneth A.Jackson)主编;屠海令等译校. 半导体工艺. 北京:科学出书 。

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